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PVD膜材料主要用以制備各種具有特定功能的薄膜材料，應用領(lǐng)域包括平板顯示、半導體、太陽能電池、光磁記錄媒體、 光學元器件、 節(jié)能玻璃、 LED、工具改性、高檔裝飾用品等。

（1）薄膜材料制備技術(shù)概述
薄膜材料生長于基板材料（如屏顯玻璃、光學玻璃等）之上，一般由金屬、非金屬、合金或化合物等材料經(jīng)過鍍膜后形成，具有增透、吸收、截止、分光、反射、濾光、干涉、保護、防水防污、防靜電、導電、導磁、絕緣、耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、裝飾和復合等功能，并能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量、環(huán)保、節(jié)能、延長產(chǎn)品壽命、改善原有性能等。

目前，薄膜材料制備技術(shù)主要包括：
物理氣相沉積（PVD）技術(shù) 和 化學氣相沉積（CVD）技術(shù)。

①PVD技術(shù)
PVD 技術(shù)是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，指在真空條件下采用物理方法，將某種物質(zhì)表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基板材料表面沉積具有某種特殊功能的薄膜材料的技術(shù)。在PVD 技術(shù)下，用于制備薄膜材料的物質(zhì)，統(tǒng)稱為 PVD 鍍膜材料。
經(jīng)過多年發(fā)展，PVD 技術(shù)已成為目前主流鍍膜方法，主要包括濺射鍍膜 和真空蒸發(fā)鍍膜。

A、濺射鍍膜
濺射鍍膜是指利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基板材料表面的技術(shù)。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜材料的原材料，稱為濺射靶材。

一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板（或背管）等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成薄膜材料；由于濺射靶材需要安裝在專用的設(shè)備內(nèi)完成濺射過程，設(shè)備內(nèi)部為高電壓、高真空的工作環(huán)境，多數(shù)靶坯的材質(zhì)較軟或者高脆性，不適合直接安裝在設(shè)備內(nèi)使用，因此，需與背板（或背管）綁定， 背板（或背管）主要起到固定濺射靶材的作用，且具備良好的導電、導熱性能。

濺射鍍膜工藝可重復性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結(jié)合力強等優(yōu)點，已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，各種類型的濺射薄膜材料已得到廣泛的應用，因此，對濺射靶材這一具有高附加值的功能材料需求逐年增加，濺射靶材亦已成為目前市場應用量最大的 PVD 鍍膜材料。

B、真空蒸發(fā)鍍膜

真空蒸發(fā)鍍膜是指在真空條件下，利用膜材加熱裝置（稱為蒸發(fā)源）的熱能，通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在基板材料表面的一種沉積技術(shù)。被蒸發(fā)的物質(zhì)是用真空蒸發(fā)鍍膜法沉積薄膜材料的原材料，稱之為蒸鍍材料。

真空蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)一般由三個部分組成：真空室、蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱裝置、放置基板及給基板加熱裝置。在真空中為了蒸發(fā)待沉積的材料，需要容器來支撐或盛裝蒸發(fā)物，同時需要提供蒸發(fā)熱使蒸發(fā)物達到足夠高的溫度以產(chǎn)生所需的蒸汽壓。

真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有簡單便利、操作方便、成膜速度快等特點，是應用廣泛的鍍膜技術(shù)，主要應用于小尺寸基板材料的鍍膜。

②CVD技術(shù)
CVD 技術(shù)是在高溫下依靠化學反應、把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜材料的技術(shù)。

2、主要PVD 鍍膜材料

（1）濺射靶材
濺射靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，具有高純度、高密度、多組元、晶粒均勻等特點，一般由靶坯和背板（或背管）組成。按使用的原材料材質(zhì)不同，濺射靶材可分為金屬/非金屬單質(zhì)靶材、合金靶材、化合物靶材等。