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PVD涂層技術(shù)

來(lái)源:長(zhǎng)辰實(shí)業(yè)  日期:2020-03-18

增強(qiáng)型磁控陰極弧:陰極弧技術(shù)是在真空條件下,通過(guò)低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài),從而完成薄膜材料的沉積。增強(qiáng)型磁控陰極弧利用電磁場(chǎng)的共同作用,將靶材表面的電弧加以有效地控制,使材料的離化率更高,薄膜性能更加優(yōu)異。


過(guò)濾陰極?。哼^(guò)濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過(guò)濾系統(tǒng),可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)過(guò)濾干凈,經(jīng)過(guò)磁過(guò)濾后沉積粒子的離化率為100%,并且可以過(guò)濾掉大顆粒, 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑,具有抗腐蝕性能好,與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。


磁控濺射:在真空環(huán)境下,通過(guò)電壓和磁場(chǎng)的共同作用,以被離化的惰性氣體離子對(duì)靶材進(jìn)行轟擊,致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據(jù)使用的電離電源的不同,導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料均可作為靶材被濺射。


離子束DLC:碳?xì)錃怏w在離子源中被離化成等離子體,在電磁場(chǎng)的共同作用下,離子源釋放出碳離子。離子束能量通過(guò)調(diào)整加在等離子體上的電壓來(lái)控制。碳?xì)潆x子束被引到基片上,沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓,因而離子能量更大,使得薄膜與基片結(jié)合力很好;離子電流更大,使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于可沉積超薄及多層結(jié)構(gòu),工藝控制精度可達(dá)幾個(gè)埃,并可將工藝過(guò)程中的顆料污染所帶來(lái)的缺陷降至最小。

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