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由于半導(dǎo)體制造是在硅片上加工出各種微觀結(jié)構(gòu)，因此除了原始的硅基材料外還需要通過薄膜“加法”引入非硅材料（如非硅介質(zhì)層、金屬層）實(shí)現(xiàn)不同功能。除添加新材料外，薄膜工藝還具有隔離保護(hù)高活性材料（如Si、Cu），防止污染和腐蝕。薄膜工藝也會(huì)承擔(dān)一部分光阻的職能，常用于產(chǎn)生提高吸光率的減反射膜、硬掩模等。

半導(dǎo)體IC芯片制造工藝

半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)主要分為IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封測(cè)三大環(huán)節(jié)。IC設(shè)計(jì)主要根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)目的進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)和規(guī)則制定，并根據(jù)設(shè)計(jì)圖制作掩模以供后續(xù)光刻步驟使用。IC制造實(shí)現(xiàn)芯片電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，并實(shí)現(xiàn)預(yù)定的芯片功能，包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械研磨等步驟。IC封測(cè)完成對(duì)芯片的封裝和性能、功能測(cè)試，是產(chǎn)品交付前的最后工序。

薄膜沉積工藝

集成電路薄膜沉積工藝可分為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和外延三大類。PVD是指通過熱蒸發(fā)或者靶表面受到粒子轟擊時(shí)發(fā)生原子濺射等物理過程，實(shí)現(xiàn)上述物質(zhì)原子轉(zhuǎn)移至硅片表面并形成薄膜的技術(shù)，多應(yīng)用于金屬的沉積；CVD是指通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應(yīng)用于絕緣薄膜、多晶硅以及金屬膜層的沉積；外延是一種在硅片表面按照襯底晶向生長單晶薄膜的工藝。

數(shù)據(jù)來源：行行查，行業(yè)研究數(shù)據(jù)庫

薄膜沉積市場現(xiàn)狀

薄膜沉積指通過物理或化學(xué)等方在基片上沉積各種材料的過程，常見的有物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)沉積（CVD）及原子層沉積（ALD）等各種方法。據(jù)Maximize  Market  Research數(shù)據(jù)，2017~2020年全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模CAGR為11.2%，2020年達(dá)172億美元，其中PECVD、ALD及濺射PVD為最主要設(shè)備，合計(jì)占比達(dá)63%。