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如果有人問你，電鍍是什么?你會怎么回答?

有人說是水電鍍，有人說是真空鍍。到底哪個對呢?實際上，在不同的行業(yè)"電鍍"代表不同的意思。例如在現(xiàn)在的手機行業(yè)里，水電鍍很少有應(yīng)用，在很多人的腦海里，電鍍一般指的真空鍍，而在衛(wèi)浴行業(yè)，水電鍍的應(yīng)用很多，當然一般的電鍍指的水電鍍。

水電鍍和真空鍍都屬于鍍膜，讓我們從鍍膜的分類說起，看看各類鍍膜之間的區(qū)別是什么。

鍍膜按成型方法分類如下:
1. 固相法:--- >化學(xué)變化
2. 液相法:--- >化學(xué)變化
3. 氣象法:--- >化學(xué)變化和物理變化

詳細分類如下:

其中常用的鍍膜方式有:水電鍍、陽極氧化、真空蒸鍍、真空濺鍍、離子鍍。接下來，將從CMF工程師的角度，對上述鍍膜方法逐一講解。

■水電鍍法:
工藝關(guān)鍵詞:陽極溶解、陰極附著、電化學(xué)反應(yīng)
水電鍍法主要應(yīng)用于打造高反射鏡效果、增加附著層等，其優(yōu)點是可鍍大面積，成本低，缺點是電解液毒性高，工業(yè)污染大。

■陽極氧化法:
工藝關(guān)鍵詞:金屬氧化成膜、電化學(xué)反應(yīng)
陽極氧化亦可做成Ta2O2、TiO2、ZrO2、Nb2O5、HfO2、WO3等，主要用作保護膜或著色裝飾膜

■真空蒸鍍又稱熱蒸發(fā)蒸鍍法
工藝關(guān)鍵詞:高溫溶解蒸發(fā)、沉積后覆膜
依薄膜材料之加熱方式之不同，真空蒸鍍又可分為間接加熱型與直接加熱型。
1. 間接加熱型:只針對蒸發(fā)源加熱，間接使其上之薄膜材料因熱而蒸發(fā);
2. 直接加熱型:利用高能粒子(電子束，電漿或鐳射)或高頻，直接使置于蒸發(fā)源上之薄膜材料升溫而蒸發(fā);
*為避免蒸發(fā)源(容器)隨著薄膜材料一同被蒸發(fā)，蒸發(fā)源材質(zhì)的熔點一定要高于薄膜材料的沸點。


蒸鍍原理
■電阻加熱蒸鍍法
主要利用電流通過電阻時會產(chǎn)生熱能來對薄膜材料間接加熱。裝置如下

電阻加熱蒸鍍法
電阻加熱法的缺點:
1. 需先加熱蒸發(fā)源再傳熱給薄膜材料，蒸發(fā)源易與材料起作用或引升雜質(zhì);
2. 蒸發(fā)源加熱溫度有限，對高熔點之氧化物大多無法熔融蒸鍍;
3. 蒸鍍速度有限;
4. 如鍍膜材料為化合物，則有分解之可能;
5. 膜質(zhì)不硬，密度不高，附著性較差。

■濺鍍
工藝關(guān)鍵詞:電離惰性氣體轟擊靶材、靶材脫落沉積冷卻成膜
濺鍍的原理，是鍍膜機腔體抽真空，直接以薄膜材料(靶材)當做電極，利用電極間見通電5KV~15KV產(chǎn)生的電漿轟擊靶材，同時通入氣體，氣體發(fā)生離子化，粒子在電漿內(nèi)移動，離子撞擊靶材并使靶材表面原子脫離進而沉積在基板上，冷卻濃縮成薄膜。

■磁控濺鍍
在直流濺鍍或射頻濺鍍的基礎(chǔ)上改進電極結(jié)構(gòu)，亦即再把陰極內(nèi)側(cè)裝置一永久磁鐵，并使磁場方向垂直于極暗區(qū)電場方向，以便用磁場約束帶電粒子的運轉(zhuǎn)，這種濺射法稱為磁控濺射。

由于磁場的作用力與電子的運轉(zhuǎn)方向垂直，將形成電子回旋運動的向心力，此時中性物種間的撞擊機率提高，始之在較低的壓力下即能制作薄膜。

除了低壓外，磁控濺射的另兩項有優(yōu)點就是高速，低溫，因此也稱之為高速低溫濺鍍法。

但是磁控濺鍍也存在一些問題，如就平板磁控電極磁控電極而言，靶材中央及周邊不為垂直于電廠的磁場分量越來越小，亦即與靶材表面平行的磁場分量小，使得在靶材表面的一個環(huán)形區(qū)域被濺射的異?？?，而中央和邊緣處濺射的少，如此下去便會出現(xiàn)W形侵蝕谷，使的靶材利用率降低，并且可能對薄膜的均勻性產(chǎn)生影響。

■離子鍍
工藝關(guān)鍵詞:真空氣體放電、解離靶材、轟擊基材
主要原理是利用氣體放電現(xiàn)象，將薄膜材料解離成離子狀態(tài)，而后沉積于基板上。
離子鍍的基本鍍膜系統(tǒng)為PVD系統(tǒng)，只是多加入反應(yīng)性氣體，使其與蒸發(fā)后的薄膜材料反應(yīng)，而后沉積在基板上形成化合物，所以薄膜鍍層的組成成分與原薄膜材料不同，是基材靶材的化合物。

離子鍍基本上包括三個步驟 :
1. 將固態(tài)原子變成氣態(tài)原子:可用真空蒸鍍之各種蒸發(fā)源及各種濺射機制達到此一目的;
2. 將氣態(tài)原子變成離子態(tài),以提高原料的離子化程度(通?？蛇_1%):可用各種離子元傳送能量給原料原子,以達到始之離子化的程度;
3. 提升離子態(tài)原料所帶的能量以提高薄膜的品質(zhì):可在基本上加上適當負偏壓,以達到加速離子的能力。

離子鍍原理
離子鍍的特點如下:
1. 離子鍍可在較低溫度600度下進行;
2. 附著性良好;
3. 繞射性良好-帶電原子能達到基本的所有表面而沉積鍍層;
4. 沉積速度快,可達1~5um,而一般二級板型濺射速度只有0.01~1.0um/min;
5. 加工性及薄膜材料的選擇性廣,可加工除金屬外,陶瓷,玻璃 ,塑膠均可,而薄膜材料的選擇也很廣泛,金屬,合金,化合物皆可。